맥스웰이 도입한 변위전류는 전도전류와 구별된다. 도체에서는 전하가 실제로 움직이는 전도전류가 흐르지만, 변위전류는 전하가 움직이지 않아도 전속밀도가 변하면 흐르는 것으로 보는 전류이므로 유전체와 관계가 가장 깊다(도체나 반도체는 전도전류가 주된 전류이다). 변위전류도 도체 전류처럼 자계를 만들기 때문에 「변위전류는 자계를 발생하지 않는다」는 보기는 맥스웰의 이론이 아니다. 교류 전원에 평행판 콘덴서를 접속하면 도선의 전도전류밀도 i 와 극판 사이의 변위전류 ∂t∂D 를 합친 전류가 끊어지지 않고 이어져 ∇⋅(i+∂t∂D)=0 이 성립한다.
변위전류로 생긴 전자파의 위상은 교류에서 시간 미분이 jω 를 곱하는 일이라는 데서 나온다. id=jωεE 에서 j 는 위상이 90° 앞선다는 뜻이므로 변위전류가 전계보다 90° 앞서고, 거꾸로 전계(전자파)는 변위전류보다 90° 늦다. 「90° 빠르다」는 앞뒤가 반대인 보기이고, 30° 는 늦는 쪽이든 빠른 쪽이든 각도가 맞지 않는다(위상차는 90°).
콘덴서에 사인·코사인 전압을 걸면 변위전류는 미분으로 구한다. 간격 d, 유전율 ε 인 평행판 전극 사이의 전계는 E=dv, 전속밀도는 D=εE, 변위전류밀도는 Jd=dtdD 이다. 전압이 v(t)=Vmsinωt 이면 sinωt 의 미분이 ωcosωt 이므로 Jd=dεωVmcosωt 이다. 전압이 Vmcosωt 이면 cosωt 의 미분이 −ωsinωt 이므로 Jd=−dεωVmsinωtA/m2 로 음의 부호가 붙는다. 정전용량 C 인 콘덴서에 v=Vssinωt 를 걸면 q=Cv 이고 i=dtdq=Cdtdv(i 는 콘덴서로 드나드는 전류, 단위 A) 이므로 변위전류는 ωCVscosωt 이며 전압보다 90° 앞서는 코사인 모양이다. 전압이 변하지 않으면 변위전류는 0 이다.
변위전류밀도는 주파수에 비례한다. 전계 E 가 각주파수 ω=2πf 로 변하면 Jd=ωε0E=2πfε0E 이고(ε0 는 진공의 유전율), 공기 중에서 전계 2 V/m 에 변위전류밀도 2 A/m² 를 흐르게 하는 주파수는 f=2πε0EJd=2π×8.855×10−12×22≈1.8×1010Hz=18000MHz 이다. 9000 MHz 는 그 절반, 36000 MHz 는 2배, 72000 MHz 는 4배이다. 도전율 σ, 비유전율 εs(문항에 따라 εr 로도 쓰며 같은 양)인 매질에서는 도전전류밀도 ic=σE 와 변위전류밀도 id=ωεE 의 크기가 같아지는 조건이 σ=2πfε0εs 이므로 f=2πε0εsσ 이다. σ=1S/m, εs=6 이면 f≈3.0×109Hz 이다.
반지름 a 인 원형 단면 도선에 전도전류 ic=Icsin2πft(여기의 ic 는 전류[A]이고 그 밀도가 jc 이다 — 앞 문단의 도전전류밀도 ic=σE 와 다르다)가 흐를 때 도선 안 변위전류밀도의 최대값은 다음 순서로 구한다(도전율 σ, 비유전율 εr). 1단계 전도전류밀도는 jc=πa2Icsin2πft. 2단계 도선 안 전계는 E=σjc, 전속밀도는 D=εE=σεjc. 3단계 jd=∂t∂D=σπa22πfεIccos2πft 이고 최대값은 cos 이 1 일 때이다. 4단계 ε=ε0εr=36π×109εr 를 넣으면 jd=18π×109σa2fεrIc 이다. 식에서 f 가 분자에 있으므로 주파수가 높을수록 변위전류밀도가 커진다. 도선 안에서는 보통 전도전류가 훨씬 크지만 주파수가 아주 높아지면 변위전류도 무시하지 못한다.