SCR의 턴온·턴오프와 유지전류

📖 5분 정리무료 공개이론 근거 정리

1 출제 포인트 — 이렇게 나옵니다

38회 시험 중에서 6번 나왔습니다
2010~2022년 기출 38회 시험 기준

출제 회차 2010년 2차 · 2012년 2차 · 2017년 1차 · 2018년 1차 · 2019년 3차 · 2020년 1차

2 쉬운 설명

SCR(실리콘 제어 정류기)은 양극(애노드)·음극(캐소드)·게이트 세 단자를 가진 PNPN 4층 구조의 반도체 스위치 소자이며, 게이트에 신호를 주면 켜지는 사이리스터의 한 종류이다.

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3 이 개념이 나온 기출문제

해설·법령 근거까지 가입 없이 보실 수 있습니다. 최신 5개년 문항은 여기 나오지 않습니다.

4 체크리스트 + 암기팁

암기팁 SCR 은 게이트로 「켜기」만 하고, 켜진 뒤 전류 크기는 게이트와 무관 — 끄려면 전류를 거의 0 으로 줄이거나 역전압을 걸어야 한다.
암기팁 게이트 전류 ↑ → 순방향 저지전압 ↓ → 쉽게 켜진다.
함정 주의 게이트 신호는 켜는 순간에만 필요하고 이후에는 있어도 없어도 같다. 도통 중인 일반 SCR 은 게이트 전류를 줄이거나 늘려도, 게이트 전압을 부(−)로 해도 꺼지지 않는다.
  • 도통(on) 상태의 SCR 을 차단(off)하려면 전원전압의 극성이 반대가 되도록 해서 양극 전류가 0 이 되게 한다. 게이트 펄스전압을 가하거나, 게이트 전류를 증가시키거나, 게이트 전압을 부(−)로 하는 것은 오답이다(2020-06-06 시행 55번).
  • SCR 은 게이트에 (+) 펄스를 가해 켜며, 「게이트에 (+)와 (-)의 특성을 갖는 펄스를 인가하여 제어한다」는 설명이 틀리다. PNPN 구조, 인버터 회로에 이용, 고속도의 스위치 작용은 맞는 설명이다(2018-03-04 시행 49번).
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  • 사이리스터의 게이트 전류가 증가하면 순방향 저지전압은 감소한다. 순방향 저지전압이 증가한다는 보기는 틀리고, 역방향으로 막는 능력은 게이트 전류와 따로 정해진다(2017-03-05 시행 54번).
  • 게이트 전류를 가한 뒤 도통이 완료될 때까지의 시간이 턴온 시간이며, 이 시간이 길면 스위칭 때의 전력손실이 많아진다. 빈칸 순서는 ON, TURN ON, 스위칭, 전력손실이다(2012-05-20 시행 60번).
  • SCR 의 특징으로 틀린 것은 「전류가 흐르고 있을 때의 양극 전압강하가 크다」이다(전압강하는 작다). 과전압에 약하다, 열용량이 적어 고온에 약하다, 게이트 신호를 인가할 때부터 도통할 때까지의 시간이 짧다는 맞는 설명이다(2019-08-04 시행 42번).

5 예제 — 이 개념, 실제로 이렇게 나왔습니다

2010년 2차 전기기기 44번 — 도통 중 게이트 전류를 줄이면 부하전류SCR을 이용한 인버터 회로에서 SCR 이 도통 상태에 있을 때 부하전류가 20[A] 흘렀다. 게이트 동작 범위 내에서 전류를 1/2로 감소시키면 부하 전류는?옳은 것 고르기해설 보기 →2018년 1차 전기기기 49번 — SCR 설명 중 틀린 것실리콘 제어정류기(SCR)의 설명 중 틀린 것은?옳지 않은 것 고르기해설 보기 →2020년 1차 전기기기 55번 — 도통 SCR 을 차단하는 방법도통(on)상태에 있는 SCR을 차단(off)상태로 만들기 위해서는 어떻게 하여야 하는가?옳은 것 고르기해설 보기 →

6 이론 근거 — 정의가 곧 정답입니다항목 6개 · 눌러서 펼치기눌러서 닫기

SCR 의 동작
SCR 은 PNPN 4층 구조이며 게이트에 (+) 펄스를 가하면 도통하고 게이트 신호로 끌 수 없다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
SCR 의 소호
게이트 신호는 SCR 을 켜기만 하며, 차단하려면 양극 전류가 0 이 되도록 전원전압 극성을 반대로 한다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
SCR 의 특성
SCR 은 도통 중 양극 전압강하가 작고 턴온 시간이 짧으며 과전압과 고온에 약하다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
SCR(사이리스터)의 자기유지 특성
SCR은 도통 개시 후 게이트 전류와 무관하게 주회로 조건에 의해 부하전류가 유지되는 래칭 특성을 가진다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
사이리스터의 턴온 동작
게이트 전류로 저지 상태에서 도통 상태로 바뀌며, 턴온 시간이 길면 스위칭 손실이 커진다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
사이리스터의 턴온 특성
게이트 전류가 클수록 순방향 저지전압이 낮아진다.
출처: 기출 해설의 이론 근거 · 이 개념 기출 7문항 중 1문항이 인용
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